APEC: potenza SiC e strumenti avanzati di potenza nel cloud

Le capacità di ricerca sono state migliorate ed è presente un menu in stile carosello che consente di selezionare dispositivi e schede compatibili, afferma l'azienda: "Gli ingegneri possono restringere le opzioni per componenti validi e soluzioni di sistema e avere fiducia nelle prestazioni del sistema prima di intraprendere ricerche hardware e completamento delle progettazioni"

Le dimostrazioni all'APEC includono un dimostratore PFC (correzione del fattore di potenza) trifase al carburo di silicio (SiC) da 11 kV (100 kHz) costruito attorno al Mosfet Onh ​​​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 V, >30 A, ~80 mOhm, TO247) e un Gate driver NCP51705 - che include una pompa di carica per creare un bias negativo che spegne il Mosfet SiC.

Sul pavimento eFuse

In mostra ci saranno anche eFuse, “sensori passivi intelligenti” per l’automazione industriale, una soluzione USB-PD (erogazione di potenza) ad alta densità, circuito di feedback con pinza attiva e moduli di potenza per il driver del motore.

Per promuovere Strata, verrà presentato un articolo dal titolo ambizioso "Soddisfare la lista dei desideri di un designer sotto pressione con tutti gli strumenti di cui hai bisogno in una cassetta degli attrezzi" (19 marzo, 13:30, Aula 303AB).

Un'altra presentazione: “Caratteristiche, affidabilità e rendimento nel moderno